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主要用于存储程序中的变量。
在单芯片单片机中(*1),常常用SRAM作为内部RAM。
SRAM允许高速访问,内部结构太复杂,很难实现高密度集成,不适合用作大容量内存。
除SRAM外,DRAM也是常见的RAM。
DRAM的结构比较容易实现高密度集成,比SRAM的容量大。
将高速逻辑电路和DRAM安装于同一个晶片上较为困难,一般在单芯片单片机中很少使用,基本上都是用作外围电路。
(*1)单芯片单片机是指:将CPU,ROM,RAM,振荡电路,定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微处理器。

另外:图中的SQ1与SQ2为限位开关,QS为电源总开关,FU1与FU2为熔断器,FR为热保护继电器。
正常情况下,按下SB1,KMF线圈带电,KMF-1闭合,KMF-2断开,电机开始转动,我们假定此时为正转,设备的动作为向上行驶,当碰到限位开关SQ1时,SQ1将断开,KMF线圈因而断电,电机不再正向转动,设备也不能再向上行驶;按下SB2也是类似的控制,但电机反转,设备的动作为向下行驶。
若主线路接线时,接反相了会怎样呢?按下SB1,同样是KMF线圈带电,KMF-1闭合,KMF-2断开,电机转动,但此时由于反相,电机将会是反转,设备向下行驶,碰到的限位开关将是SQ2。

dcs作为大型控制系统,它采用的通信方式无非就是数字通信和模拟通信。
数字通信它在DCS使用就是在监视层和管理层。
而模拟通信的应用在现场控制层和数据检测层。
根据上述提到,实际上DCS控制站以上是以数字通信实现,而控制站以下是以模拟量实现,DCS系统和现场的变送器、执行器等现场仪表之间都是以4-20mA模拟通信方式进行信号传递。
虽然DCS采用两种通信方式,但是模拟通信方式相比数字通信方式还是较明显处于劣势一方。
取得令牌的站有两种数据传送方式,即无应答数据传送方式和有应答数据传送方式。
采用无应答数据传送方式时,取得令牌的站可以立即向目的站发送数据,发送结束,通讯过程也就完成了;而采用有应答数据传送方式时,取得令牌的站向目的站发送完数据后并不算通讯完成,必须等目的站获得令牌并把应答帧发给发送站后,整个通讯过程才结束。
后者比前者的响应时间明显增长,实时性下降。
浮动主站通讯方式浮动主站通讯方式又称N:M通讯方式,适用于总线结构的PLC网络,是指在总线上有M个站,其中N(N<M=个为主站,其余为从站。

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其实,这是ST语言语法导致的,那就是不能做连续的比较,也就是同一个变量连续用两个逻辑判断,这是不允许的。
我们必须把它分开,看下图图三连续逻辑判断的正确写法这才是连续逻辑判断语句的正确写法,就是把逻辑拆分开。
0A5,表示变量A在0和5之间,也就是它既要大于0又要小于5,所以用一个AND把两个条件联系起来。
如图三所示,这才是连续逻辑判断语句的正确写法。
大家在使用ST语言的时候务必要注意这一点,同样,在西门子博途中也是不能使用连续逻辑条件的。
如果想学习接触器的接线,那么*基本的两个电路一定要懂,一个是自锁一个是互锁。
自锁电路自锁的要点,线圈吸合以后通过接触器自身的常开点持续供电实现自锁。
自锁用的按钮开关是自复开关。
互锁电路*经典*实用的控制电机正反转的互锁电路,在实际接线的时候把SB1和SB2两个按钮开关机械互锁。
弄懂了这两个基础电路,你也就入门了,其实这个互锁电路中,KM1和KM2也有自锁,其他复杂的电路中,也会用到自锁互锁,基本上都是巧妙的利用接触器的常开常闭辅助触点实现各种功能。
但是存在这么一个现象:漏电保护器不安装,只安装空气开关或者刀开关。
漏电保护器不安装的理由是什么呢?我们可能也会经常遇到这种情况,无缘无故的漏电保护器就跳闸了,如果不能发现哪地方经常漏电,只要通电,保护器不久就又一次跳闸了。
为了不影响使用,干脆就将漏电保护器给卸载掉,只保留空气开关。
实际上,省略了漏电保护器就存在了巨大的安全隐患。
保护器跳闸是因为肯定有漏电的地方,既然漏电,那么人就有可能发生触电的情况。

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的写入:在51单片机中,写入的数值可以是十进制和十六进制,但不能是二进制。
比如:P1=4;P1=0X04;当写语句"P1=4;"时P1^0——P1^7的电平依次为“00100000”当写语句"P1=65;"时P1^0——P1^7的电平依次为"10000010";65的十六进制码为:0x41从以上两个数值可以发现,端口的低位对应的是数值的低位,端口的高位对应的是数值的高位。
在用数码管显示数字的时候,是一个位数字,一位数字的写入,比如说26,先写2,再写6.以用数码管写2为例:将数码管的断选abcdefgdp分别接到P1^0,P1^1……P1^7;若要显示2,则要求abcdefgdp依次为:11011010如果按照端口的对应,写P1=0xda,那就错了。
在白炽灯泡无级调光或电风扇无级调速电路中,常用136这类大功率的双向晶闸管来实现调光或调速。
双向晶闸管的电路符号。
MOS场效应管的电路符号。
场效应管属于单极型半导体器件,其可以分为结型场效应管和MOS场效应管两种,每种类型的场效应管又有P沟道和N沟道之分。
场效应管在电子电路中既可以作为放大器件用来放大信号,又可以作为开关器件用来控制负载的通断,故场效应管的用途比晶闸管更广一些。
在功放电路中,采用VMOS场效应管作为功率放大元件,可以提高音质;在开关电路中,驱动电机等大电流负载时,选用MOS场效应管作为电子开关,可以减轻前级驱动电路的负担(若选用晶闸管的话,需要从前级电路汲取较大的驱动电流)。
具体的调零操作可以分成两个步骤来完成。
步可以归结为机械调零,我们可以使用用螺丝刀旋转机械调零螺丝,让指针与左边零位对齐。
第二步可以称之为短接调零,我们将红黑表棒金属部分接触,调整万用表上的调零旋钮,让指针与右边欧姆零位对齐。
注意,如果换挡的话,要重新进行短接调零。
常见问题二:在进行测电阻的过程中,应该怎样选择万用表的量程才?在使用万用表测电阻的过程中,我们需要依据实际需要来选择合适的量程,这样才能获得一个度较高的测量结果。

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